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铠侠闪迪联合 BiCS10 332 层 3D NAND 正式送样

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7 月 3 日,铠侠闪迪合作研发的第十代 BiCS FLASH 3D NAND 闪存进入样品交付阶段,首款落地产品为 1Tb 规格 TLC 颗粒,由铠侠日本岩手北上 Fab2 工厂负责生产。

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这款 332 层堆叠闪存沿用 BiCS8 世代落地的 CBA 晶圆键合、OPS 节距选通两项核心工艺,成熟架构能够稳定支撑高层堆叠量产,缩短新品产能爬坡周期。 规格层面,BiCS10 1Tb TLC 兼容 Toggle DDR6.0、SCA 协议与 PI-LTT 技术,闪存 I/O 速率可达 4800MT/s。芯片存储密度突破 29Gb/mm²,对比 BiCS8 提升 59%;功耗与能效同步优化,输出功耗下降 34%、读取能效提升 30%,输入功耗降低 10%、写入能效提升 18%,适配 AI 数据中心高密度低功耗存储需求。


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